[发明专利]金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管有效
| 申请号： | 201210562498.1 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103887183B | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 贠伦刚;黄安;田鹏博 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，涉及电子器件，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。所述金/硅共晶芯片焊接方法包括在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦形成焊接层。所述晶体管，包括芯片、芯片载体和连接所述芯片和所述芯片载体的中间层，所述焊中间层为利用上述焊接方法获得的焊接层。本发明较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 硅共晶 芯片 焊接 方法 晶体管 | ||
【主权项】：
一种金/硅共晶芯片焊接方法，其特征在于，包括：在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦，使所述金凸起与所述芯片表体反应形成硅金焊点而实现所述芯片在所述载体上的封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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