[发明专利]一种逆导型IGBT器件的制备方法有效
| 申请号： | 201210559699.6 | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887240A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张朝阳 | 申请（专利权）人： | 上海宝芯源功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种逆导型IGBT器件的制备方法，首先提供一半导体衬底，通过外延工艺及离子注入及退火工艺于所述半导体衬底表面形成重掺杂P型区及重掺杂N型区，以制备出IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极；然后于上述结构表面外延N型漂移区；接着基于所述N型漂移区进行IGBT制备的正面工艺；然后去除所述半导体衬底；最后对所述IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极进行金属化。本发明通过采用外延技术和离子注入工艺，在不需要大量投资背面薄片工艺设备地前提下，实现了IGBT/FRD的芯片级集成，大大地降低了器件的面积，提高了良品率，并且大大地降低了工艺成本。本发明与常规的MOS工艺兼容，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，通过外延工艺、离子注入及退火工艺于所述半导体衬底表面形成重掺杂P型区及重掺杂N型区，以制备出IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极；2）于上述结构表面外延N型漂移区；3）基于所述N型漂移区进行IGBT制备的正面工艺；4）去除所述半导体衬底；5）对所述IGBT的集电极和快速恢复二极管的阴极进行金属化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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