[发明专利]一种元胞结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种元胞结构，多个元胞排列形成元胞阵列结构而形成有三个端口的功率半导体器件，三个端口中的任意一端口或多个端口分别连接一电阻，每个元胞包括外延层；第二型轻掺杂区，形成于外延层中；第一型重掺杂区和第二型重掺杂区，分别形成于第二型轻掺杂区中；重掺杂区短接孔，形成于第一型重掺杂区和第二型重掺杂区上；栅介质层，形成于外延层、紧邻外延层的第二型轻掺杂区及紧邻第二型轻掺杂区的部分第一型重掺杂区的表面上；第一多晶硅条，形成于栅介质层上；所有元胞中的第一型重掺杂区和重掺杂区短接孔在第二型轻掺杂区中所包围的区域为第二端口连接的电阻，串联的电阻可提升ESD能力且通过对元胞结构稍作调整就能适应多种等级ESD需求。

主权项

一种元胞结构，多个所述元胞排列形成元胞阵列结构而形成具有第一端口、第二端口和第三端口的功率半导体器件，所述三个端口中的任意一端口或多个端口分别连接一电阻，其特征在于，每个所述元胞包括：一外延层；一第二型轻掺杂区，形成于所述外延层中；第一型重掺杂区和第二型重掺杂区，分别形成于所述第二型轻掺杂区中；重掺杂区短接孔，形成于所述第一型重掺杂区和第二型重掺杂区上；栅介质层，形成于外延层、紧邻外延层的第二型轻掺杂区及紧邻第二型轻掺杂区的部分第一型重掺杂区的表面上；第一多晶硅条，形成于所述栅介质层上；其中，所有所述元胞中的第一型重掺杂区和重掺杂区短接孔在所述第二型轻掺杂区中所包围的区域为第二端口连接的电阻。