[发明专利]一种制备蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版的方法无效
申请号: | 201210559334.3 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN102978567A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 吴春艳;张梓晗;吴义良;吕鹏;罗林保;王莉;于永强;揭建胜 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04 |
代理公司: | 合肥金安专利事务所 34114 | 代理人: | 林飞 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 针对现有蒸镀电极用掩膜版或加工成本高或精度差的不足,本发明公开了蒸镀电极的免光刻高精度铜箔掩模版的制备方法,是在铜箔表面旋涂正性光刻胶,通过紫外曝光工艺,在铜箔上形成所需的电极图形,然后将此铜箔放入铜刻蚀液中,在光刻胶的保护下刻蚀出所光刻的图形,去胶即可完成铜箔掩模版的制备。该铜箔掩模版可直接用于蒸镀电极使用,免去了器件制备中的多步光刻工艺,避免了光刻过程可能对材料以及器件性能造成的不利影响。本发明制备方法简单易行,稳定可靠,可以应用到各种微纳米尺寸器件电极的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 电极 光刻 高精度 模版 方法 | ||
【主权项】:
一种制备蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版的方法,其特征在于,按如下步骤进行:1)将一片铜箔(1)的一侧面粘附在热剥离胶带(2)上,在所述铜箔(1)的另一侧面上旋涂一层正性光刻胶(3),并通过紫外曝光的工艺方法在正性光刻胶(3)上进行光刻形成所需的电极图形,将正性光刻胶(3)上的电极图形区域清洗掉,使得与电极图形区域相对应的铜箔(1)暴露出来;其中,所述热剥离胶带(2)确保在旋涂正性光刻胶(3)时,避免正性光刻胶(3)渗漏到铜箔(1)的背面影响后续刻蚀效果的目的;2)将光刻有电极图形的铜箔(1)浸泡在铜刻蚀液中;其中,铜箔(1)由热剥离胶带(2)覆盖的一侧不被铜刻蚀液刻蚀;铜箔(1)的另一侧暴露在铜刻蚀液中的区域被刻蚀掉;完成刻蚀后,在铜箔(1)上形成与电极图形的形貌相同的贯穿孔(4);在本步骤中,热剥离胶带(2)确保刻蚀液在刻蚀铜箔(1)时是单面刻蚀的;3)将已刻蚀好但仍粘附有热剥离胶带(2)的铜箔(1)放在烘胶台上烘烤,热剥离胶带(2)受热后粘性下降,直至铜箔(1)自热剥离胶带(2)上释放下来;将释放下来的铜箔(1)去除正性光刻胶(3)即制备出蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版;在本方法中,热剥离胶带(2)还起到保持铜箔(1)结构完整性的作用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学,未经合肥工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210559334.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类