[发明专利]一种制备蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版的方法无效

专利信息
申请号: 201210559334.3 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN102978567A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 吴春艳;张梓晗;吴义良;吕鹏;罗林保;王莉;于永强;揭建胜 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04
代理公司: 合肥金安专利事务所 34114 代理人: 林飞
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 针对现有蒸镀电极用掩膜版或加工成本高或精度差的不足,本发明公开了蒸镀电极的免光刻高精度铜箔掩模版的制备方法,是在铜箔表面旋涂正性光刻胶,通过紫外曝光工艺,在铜箔上形成所需的电极图形,然后将此铜箔放入铜刻蚀液中,在光刻胶的保护下刻蚀出所光刻的图形,去胶即可完成铜箔掩模版的制备。该铜箔掩模版可直接用于蒸镀电极使用,免去了器件制备中的多步光刻工艺,避免了光刻过程可能对材料以及器件性能造成的不利影响。本发明制备方法简单易行,稳定可靠,可以应用到各种微纳米尺寸器件电极的制备。
搜索关键词: 一种 制备 电极 光刻 高精度 模版 方法
【主权项】:
一种制备蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版的方法,其特征在于,按如下步骤进行:1)将一片铜箔(1)的一侧面粘附在热剥离胶带(2)上,在所述铜箔(1)的另一侧面上旋涂一层正性光刻胶(3),并通过紫外曝光的工艺方法在正性光刻胶(3)上进行光刻形成所需的电极图形,将正性光刻胶(3)上的电极图形区域清洗掉,使得与电极图形区域相对应的铜箔(1)暴露出来;其中,所述热剥离胶带(2)确保在旋涂正性光刻胶(3)时,避免正性光刻胶(3)渗漏到铜箔(1)的背面影响后续刻蚀效果的目的;2)将光刻有电极图形的铜箔(1)浸泡在铜刻蚀液中;其中,铜箔(1)由热剥离胶带(2)覆盖的一侧不被铜刻蚀液刻蚀;铜箔(1)的另一侧暴露在铜刻蚀液中的区域被刻蚀掉;完成刻蚀后,在铜箔(1)上形成与电极图形的形貌相同的贯穿孔(4);在本步骤中,热剥离胶带(2)确保刻蚀液在刻蚀铜箔(1)时是单面刻蚀的;3)将已刻蚀好但仍粘附有热剥离胶带(2)的铜箔(1)放在烘胶台上烘烤,热剥离胶带(2)受热后粘性下降,直至铜箔(1)自热剥离胶带(2)上释放下来;将释放下来的铜箔(1)去除正性光刻胶(3)即制备出蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版;在本方法中,热剥离胶带(2)还起到保持铜箔(1)结构完整性的作用。
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