[发明专利]覆晶式发光元件无效
| 申请号： | 201210554656.9 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103887394A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 罗玉云;林子旸;黄靖恩;黄逸儒;吴志凌 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种覆晶式发光元件，可提升整体的发光效率。本发明提供一种覆晶式发光元件，其包括一基板、一第一型半导体层、一发光层、一第二型半导体层、一第一电极、一第二电极、一透明导电层以及多个反射粒子。基板具有一上表面，第一型半导体层配置在基板的上表面，发光层配置在第一型半导体层上，第二型半导体层配置在发光层上，第一电极配置在第一型半导体层上，第二电极配置在第二型半导体层上，透明导电层配置在第二电极与第二型半导体层之间，其中透明导电层与第二电极之间具有一接触界面。反射粒子至少分布在接触界面上且与第二电极以及透明导电层电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 覆晶式 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种覆晶式发光元件，其特征在于，包括：一基板，具有一上表面；一第一型半导体层，配置在该基板的该上表面；一发光层，配置在该第一型半导体层上；一第二型半导体层，配置在该发光层上；一第一电极，配置在该第一型半导体层上；一第二电极，配置在该第二型半导体层上；一透明导电层，配置在该第二电极与该第二型半导体层之间，其中该透明导电层与该第二电极之间具有一接触界面；以及多个反射粒子，至少分布在该接触界面上且与该第二电极以及该透明导电层电性连接。
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