[发明专利]金属栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201210553000.5 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103871856A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;孟晓莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属栅极的形成方法，包括：在衬底上形成伪栅极层，在所述伪栅极层的两侧形成侧墙；移除所述伪栅极层，以在所述侧墙间形成栅极沟槽；沉积功函数金属，以在所述栅极沟槽的底部及侧壁形成功函数金属层，所述栅极沟槽底部及侧壁的所述功函数金属层围成凹槽；形成保护层填充所述凹槽，然后进行平坦化；蚀刻位于所述栅极沟槽侧壁的所述功函数金属层以形成凹陷；去除所述保护层，使所述凹槽和所述凹陷连接形成缺口；沉积金属材料填充所述缺口。本发明提供的金属栅极的形成方法相应的工艺步骤扩大了金属栅极材料进行填充时的开口，从而使得所形成的金属栅极内部不会出现空隙。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上形成伪栅极层，在所述伪栅极层的两侧形成侧墙；移除所述伪栅极层，以在所述侧墙间形成栅极沟槽；沉积功函数金属，以在所述栅极沟槽的底部及侧壁形成功函数金属层，所述栅极沟槽底部及侧壁的所述功函数金属层围成凹槽；形成保护层填充所述凹槽，然后进行平坦化；蚀刻位于所述栅极沟槽侧壁的所述功函数金属层以形成凹陷；去除所述保护层，使所述凹槽和所述凹陷连接形成缺口；沉积金属材料填充所述缺口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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