[发明专利]互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210548617.8 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103871959B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种互连结构及其制造方法。所述制造方法包括在基底上形成含碳的介质层；采用含硅、氢的气体对所述介质层进行表面处理，以形成用于抑制碳损失的保护层；在所述保护层上形成硬掩模；以所述硬掩模对所述介质层进行图形化，以形成连接插塞。所述互连结构为所述互连结构的制造方法所形成的互连结构。本发明提高了互连结构的制造良率，还提高了互连结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：在基底上形成含碳的介质层；采用含硅、氢的气体对所述介质层进行表面处理，以形成用于抑制碳损失的保护层，所述含硅、氢的气体为硅烷，硅烷的浓度为100～300毫克每立方米；在所述保护层上形成硬掩模，形成硬掩模的步骤包括：通过等离子体增强正硅酸乙脂层沉积的方法形成所述硬掩模，所述等离子体为非氧的等离子体；以所述硬掩模对所述介质层进行图形化，以形成连接插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
