[发明专利]半导体表面结构侧壁表征方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，公开了一种半导体表面结构侧壁倾角表征方法，通过测量和提取半导体表面结构图形化区域顶部线宽、底部线宽及半导体表面结构介质层厚度，实现对其侧壁倾角的表征。本方法中所需的各种测量均为自上而下俯视进行的线宽测量，且所述半导体表面结构介质层厚度经由设计参数直接提取、或通过膜厚仪等测量设备以非接触性的光学测量方法测得，在表征过程中无需对待测晶圆进行切片，不进行断面扫描，根据上述各测量数据直接计算得到半导体表面结构侧壁表征结果，能够直观反映各种特征尺寸、各种深宽比范围的半导体表面图形化结构侧壁准直性。

主权项

一种半导体表面结构侧壁表征方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体表面结构，并定义图形化区域；测量所述图形化区域顶部线宽CD1、底部线宽CD2；提取所述半导体表面结构介质层厚度D；根据所述顶部线宽CD1、底部线宽CD2以及半导体表面结构介质层厚度D计算所述半导体表面结构侧壁倾角，实现半导体表面结构侧壁表征。