[发明专利]具有晶体管区域互连的半导体设备有效
| 申请号： | 201210536618.0 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165575A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | M·拉希德;S·索斯;J·桂;I·Y·林;J·B·格莱特;C·阮;J·金;M·泰拉比;Y·马;Y·邓;R·奥戈;S-H·李;S·约翰逊;S·坎格瑞;S·文卡特桑 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有晶体管区域互连的半导体设备，该半导体设备用于实施至少一个逻辑组件。该半导体设备包含半导体基板，该半导体基板上形成有第一晶体管及第二晶体管。各该晶体管包括源极、漏极与栅极。CA层电性连接至该第一晶体管的该源极或该漏极中的至少一个。CB层电性连接至该等晶体管的该等栅极的至少一个及该CA层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶体管 区域 互连 半导体设备 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包括：半导体基板；第一晶体管及第二晶体管，形成于该半导体基板上；各该晶体管包括源极、漏极与栅极；CA层，电性连接至该第一晶体管的该源极或该漏极中的至少一个；以及CB层，电性连接至该等晶体管的该等栅极中的至少一个及该CA层。
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