[发明专利]红外焦平面探测器芯片的拼接方法有效
| 申请号： | 201210527743.5 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN103021961A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王春生;东海杰;孟令超;鲍哲博 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 吴永亮 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外焦平面探测器芯片的拼接方法，包括：步骤A，对于给定数量的待拼接芯片，输入其标记点，进行拼接精度预分析与优化，确定待拼接芯片的最佳排列组合方式和优化位置，并确定第一片待拼接芯片的目标位置；步骤B，从第二片待拼接芯片开始，进行拼接过程动态优化。该方法通过拼接精度预分析与优化确定全体芯片最佳排列组合方式，提高拼接方案固有精度，并通过拼接过程动态优化消除拼接过程误差的累积，大大提高红外焦平面探测器拼接的最终精度，通过拼接操作优化简化拼接操作步骤，降低操作风险，提高效率和成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 平面 探测器 芯片 拼接 方法 | ||
【主权项】：
一种红外焦平面探测器芯片的拼接方法，其特征在于，包括：步骤A，对于给定数量的待拼接芯片，输入其标记点，进行拼接精度预分析与优化，确定待拼接芯片的最佳排列组合方式和优化位置，并确定第一片待拼接芯片的目标位置；步骤B，从第二片待拼接芯片开始，进行拼接过程动态优化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
