[发明专利]一种激光干涉纳米光刻制备双重周期纳米结构的方法有效
| 申请号： | 201210523661.3 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103852975B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王作斌;王大鹏;张子昂;刘洋;于淼;宋正勋;翁占坤;胡贞;许红梅 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提出一种激光干涉纳米光刻制备双重周期纳米结构的方法，利用入射光束与调制光束的特定组合方式对干涉光场进行周期性调制，形成的干涉周期、调制周期在内的双重周期纳米结构，结合不同材料的光刻特性，在材料表面直接制造双重周期纳米结构。突破了激光干涉光刻技术制造二维单一周期性结构的局限性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 干涉 纳米 光刻 制备 双重 周期 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种激光干涉纳米光刻制备双重周期纳米结构的方法，涉及光源、分光和曝光系统，该系统由激光器发出激光，经过分光系统被分成多束相干光，形成围绕系统中心轴对称分布的入射光束以及与入射光束相同空间角但不同入射角的调制光束，其特征在于在干涉系统中引入调制光束对干涉光场进行周期性调制，空间上形成干涉周期、调制周期在内的双重周期纳米结构，并实现通过调整调制光束入射角的大小来改变调制周期的大小，形成不同周期的双重结构；改变入射光束和调制光束的空间角、入射角、光强和偏振角任一参量，实现不同分布特点的双重周期图案。
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