[发明专利]包括第一和第二半导体元件的半导体器件有效

专利信息
申请号: 201210522047.5 申请日: 2012-12-07
公开(公告)号: CN103165597A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: U.格拉泽;F.希尔勒;C.伦兹霍费尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马永利;卢江
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种包括第一和第二半导体元件的半导体器件。一种半导体器件包括:第一半导体元件,其包括在第一端子与第二端子之间的第一pn结。该半导体器件还包括:半导体元件,其包括在第三端子与第四端子之间的第二pn结。该半导体元件还包括:半导体本体,其包括单片地集成的第一半导体元件和第二半导体元件。第一和第三端子电耦合到第一器件端子。第二和第四端子电耦合到第二器件端子。第一pn结的击穿电压Vbr1的温度系数α1和第二pn结的击穿电压Vbr2的温度系数α2具有相同代数符号并且在T=300K处满足,其中Vbr2<Vbr1
搜索关键词: 包括 第一 第二 半导体 元件 半导体器件
【主权项】:
1. 一种半导体器件,包括:第一半导体元件,其包括在第一端子与第二端子之间的第一pn结;第二半导体元件,其包括在第三端子与第四端子之间的第二pn结;半导体本体,其包括单片地集成的所述第一半导体元件和所述第二半导体元件;并且其中所述第一和第三端子电耦合到第一器件端子;所述第二和第四端子电耦合到第二器件端子;并且所述第一pn结的击穿电压Vbr1的温度系数α1和所述第二pn结的击穿电压Vbr2的温度系数α2具有相同代数符号并且在T=300K处满足,其中Vbr2 < Vbr1
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