[发明专利]集成电路和形成集成电路的方法有效
| 申请号： | 201210521549.6 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103165574A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | T.德策尔;J.格罗斯;R.伊林;M.克鲁格;S.兰策施托费尔;M.内尔海贝尔;W.罗布尔;M.罗加利;S.韦勒特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路和形成集成电路的方法。一种集成电路包括基元件和基元件上的铜元件，铜元件具有至少5μm的厚度以及小于0.7的平均晶粒尺寸与厚度的比。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：基元件；以及所述基元件上的铜元件，所述铜元件具有至少5 μm的厚度以及小于0.7的平均晶粒尺寸与厚度的比。
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