[发明专利]硅上的高质量GaN高压HFET有效
| 申请号： | 201210520205.3 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103165444A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | J·拉姆德尼;J·P·爱德华兹;L·刘 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 潘飞;杨勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了适于形成电子器件的硅上方的GaN衬底，以及制作这些衬底的方法，所述电子器件例如是异质结场效应晶体管（HFET）。在硅晶圆的顶部表面上的晶体Al2O3膜中形成孔隙。所述硅晶圆的顶部表面沿着<111>硅晶体取向。多个层压层沉积在所述孔隙和所述Al2O3膜上方。每个层压层都包括AlN膜和GaN膜。晶体管或其他器件可在顶部GaN膜中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 质量 gan 高压 hfet | ||
【主权项】：
在硅衬底上形成GaN层的方法，该方法包括：在硅晶圆和位于该硅晶圆表面上的Al2O3膜之间形成一个非晶AlSiO膜；以及在所述Al2O3膜上方沉积多个层压层，其中每个层压层都包括位于AlN层上方的GaN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
