[发明专利]晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210514533.2 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855001A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管及其制造方法，所述制造方法包括：在基底上形成量子阱层、势垒层；形成用于隔离不同的晶体管区域的隔离结构；图形化晶体管区域的势垒层、量子阱层，保留对应栅极区域的势垒层、量子阱层，去除对应源极区域、漏极区域的势垒层、量子阱层，从而形成沟槽；向沟槽中填充掺杂的半导体材料，以形成源极和漏极；在栅极区域的量子阱层上形成栅极结构。晶体管包括：基底，基底上形成有用于隔离不同晶体管区域的隔离结构；晶体管区域包括依次位于基底上的量子阱层、势垒层；位于势垒层上的栅极结构；位于栅极结构两侧基底上且与量子阱层、势垒层相接触的源极和漏极。本发明可以提高晶体管的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在基底上依次形成量子阱层、势垒层；图形化所述势垒层、量子阱层形成隔离区；填充所述隔离区形成隔离结构，所述隔离结构用于隔离不同的晶体管区域；图形化所述晶体管区域的势垒层、量子阱层，保留对应栅极区域的势垒层、量子阱层，去除对应源极区域、漏极区域的势垒层、量子阱层，从而形成沟槽；向沟槽中填充掺杂的半导体材料，以形成源极和漏极；在栅极区域的量子阱层上形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
