[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210484373.1 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102945829A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 白金超;孙亮;丁向前;刘耀;李梁梁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板制作方法，涉及显示技术领域，该方法包括以下步骤：S1：在基板上形成包括栅极、栅线及栅绝缘层的图形；S2：形成包括有源层及沟道区域的图形；S3：形成包括源漏电极及数据线的图形；S4：形成包括像素电极及钝化层的图形。本发明还公开了一种通过上述方法制作的阵列基板及包括该阵列基板的显示装置。本发明通过先制作有源层及沟道，将所有干刻的工艺在制作源漏电极之前完成，避免了将带有数据金属层的阵列基板放入干刻设备反应腔室而导致的数据金属层静电放电，从而避免了静电放电会造成电路击穿，破坏电路结构的问题，进而提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在基板上形成包括栅极、栅线及栅绝缘层的图形；S2：形成包括有源层及沟道区域的图形；S3：形成包括源漏电极及数据线的图形；S4：形成包括像素电极及钝化层的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
