[发明专利]具有多层式存储节点的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有多层式存储节点的半导体器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤在衬底的第二区之上形成第一电介质结构以暴露出衬底的第一区；在包括第一电介质结构的整个表面之上形成阻挡层；在第一区中的阻挡层之上形成第二电介质结构；通过刻蚀第二电介质结构、阻挡层以及第一电介质结构而分别在第一区和第二区中形成第一开口部和第二开口部；形成填充在第一开口部中的第一导电图案和填充在第二开口部中的第二导电图案；形成保护层以覆盖第二区；以及去除第二电介质结构。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底的第二区之上形成第一电介质结构以暴露出所述衬底的第一区；在包括所述第一电介质结构的整个表面之上形成阻挡层；在所述第一区中的阻挡层之上形成第二电介质结构；通过刻蚀所述第二电介质结构、所述阻挡层以及所述第一电介质结构而分别在所述第一区和所述第二区中形成第一开口部和第二开口部；形成填充在所述第一开口部中的第一导电图案和填充在所述第二开口部中的第二导电图案；形成保护层以覆盖所述第二区；以及去除所述第二电介质结构。