[发明专利]半导体光发射装置

摘要

一种半导体光发射装置，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2)，至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，和辐射穿透表面(26)，在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿透表面(26)离开，其特征在于还包括：光学变频非线性晶体（32），谐振腔反射镜（43），在所述光学变频非线性晶体靠近所述反射镜（43）的一侧形成有光学涂层（42），谐振腔反射镜（34）靠近非线性晶体（32）的一侧的反射面与所述涂层(42)靠近上述反射面的一侧的表面之间的距离设置为使得对于所述垂直发射极层(3)发射的基础波和经过非线性晶体(32)后的变频波而言，不满足驻波产生的条件。

主权项

一种半导体光发射装置，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有‑表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2)，‑至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，和‑辐射穿透表面(26)，在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿透表面(26)离开，其特征在于还包括：光学变频非线性晶体（32），谐振腔反射镜（43），在所述光学变频非线性晶体靠近所述反射镜（43）的一侧形成有光学涂层（42）谐振腔反射镜（34）靠近非线性晶体（32）的一侧的反射面与所述涂层(42)靠近上述反射面的一侧的表面之间的距离设置为使得对于所述垂直发射极层(3)发射的基础波和经过非线性晶体(32)后的变频波而言，不满足驻波产生的条件。