[发明专利]利用激光直接结构化的堆叠式封装体在审
| 申请号： | 201210431122.7 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103094131A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 塞缪尔·塔姆;布莱恩·李思克朋;迪克·庞 | 申请（专利权）人： | 弗莱克斯电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 苗丽娟;张文 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开一种利用激光直接结构化的堆叠式封装体。堆叠式封装体包括附连到基板的晶粒。晶粒用激光直接结构化模制材料包封。激光直接结构化模制材料被激光激活以在激光直接结构化模制材料的顶表面和侧表面上形成电路走线。然后，电路走线经受金属化。然后，封装体附连到已金属化的电路走线，并经由已金属化的电路走线电连接到基板。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 激光 直接 结构 堆叠 封装 | ||
【主权项】：
一种用于利用激光直接结构化（LDS）制造堆叠式封装体的方法，包括：制备具有至少一个晶粒的基板带；用LDS模制材料包封各晶粒；激光激活由位于至少一个晶粒上的所述LDS模制材料形成的至少一个表面，以在所述LDS模制材料上形成电路走线；金属化所述电路走线；以及将封装体附连到已金属化的电路走线上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
