[发明专利]自对准双图形的形成方法有效
| 申请号： | 201210425630.4 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794490B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种自对准双图形的形成方法，包括提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有牺牲层、以及所述牺牲层表面的掩膜层，所述掩膜层的材料为绝缘材料；在所述待刻蚀层、牺牲层和掩膜层表面形成侧墙层，所述侧墙层包括第一子侧墙层、第一子侧墙层表面的第二子侧墙层、以及第二子侧墙层表面的第三子侧墙层，所述第二子侧墙层的材料为多晶硅，所述第一子侧墙层和第三子侧墙层的材料相同；回刻蚀所述侧墙层直至暴露出掩膜层表面为止，在所述牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成侧墙；在形成侧墙之后，去除所述掩膜层；在去除所述掩膜层之后，去除所述牺牲层。以所形成的自对准双图形为掩膜刻蚀形成的图形精确，特征尺寸同一。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准双图形的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有牺牲层、以及所述牺牲层表面的掩膜层，所述掩膜层的材料为氮氧化硅；在所述待刻蚀层、牺牲层和掩膜层表面形成侧墙层，所述侧墙层包括第一子侧墙层、第一子侧墙层表面的第二子侧墙层、以及第二子侧墙层表面的第三子侧墙层，所述第二子侧墙层的材料为多晶硅，所述第一子侧墙层和第三子侧墙层的材料相同，所述第一子侧墙层和第三子侧墙层的材料为氮化硅或氧化硅；回刻蚀所述侧墙层直至暴露出掩膜层表面为止，在所述牺牲层两侧的待刻蚀层表面形成侧墙；在形成侧墙之后，去除所述掩膜层；在去除所述掩膜层之后，去除所述牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
