[发明专利]一种减小碳化硅凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法

摘要

本发明公开了一种减小碳化硅凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法，该方法包括以第一光刻胶层（3）作为阻挡层，采用三氟化氮作为刻蚀气体刻蚀碳化硅外延层（2）以形成栅凹槽（5）；和对所述碳化硅外延层（2）的表面进行高温氧化处理以形成牺牲氧化层（6）并进一步去除所述牺牲氧化层（6）。本发明的减小碳化硅凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法可以有效地减少刻蚀表面的碳残余物，从而获得光滑的刻蚀表面，并且通过高温氧化的方法对轻损伤的碳化硅表面进行氧化处理，进一步减小了栅凹槽因刻蚀产生的损伤和粗糙，提高了肖特基栅金属与碳化硅之间接触的性能。

主权项

一种减小碳化硅凹槽损伤提高肖特基栅可靠性的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤A：步骤A1、采用第一种干法刻蚀方法对碳化硅外延层（2）进行表面处理；步骤A2、在所述碳化硅外延层（2）的表面涂覆第一光刻胶层（3）；步骤A3、对所述第一光刻胶层（3）进行光刻处理，露出栅凹槽光刻图形（4）；步骤A4、以所述第一光刻胶层（3）作为阻挡层，采用第二种干法刻蚀方法刻蚀碳化硅外延层（2）以形成栅凹槽（5）；所述第二种干法刻蚀方法采用三氟化氮作为刻蚀气体；步骤A5、去除所述第一光刻胶层（3）；步骤A6、清洗碳化硅半导体；步骤A7、对所述碳化硅外延层（2）的表面进行高温氧化处理以形成牺牲氧化层（6）；步骤A8、去除所述牺牲氧化层（6）；步骤A9、在所述碳化硅外延层（2）的表面涂覆第二光刻胶层（7）；步骤A10、对所述第二光刻胶层（7）进行光刻工艺处理，以露出肖特基栅区域（8）；步骤A11、处理位于所述肖特基栅区域（8）的碳化硅外延层（2）；步骤A12、蒸发肖特基金属，以形成肖特基金属层（9）；步骤A13、去除所述第二光刻胶层（7）及位于所述第二光刻胶层上的肖特基金属层（9），形成肖特基金属与所述碳化硅外延层接触的肖特基栅。