[发明专利]等离子体处理方法无效
| 申请号： | 201210420577.9 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103789771A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;B81C1/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理方法。该等离子体处理方法包括：向工艺腔室内通入第一反应气体；通过所述第一反应气体对刻蚀处理后的衬底进行等离子体处理，以去除扇形形貌。本发明提供的等离子体处理方法的技术方案中，可通过第一反应气体对刻蚀处理后的衬底进行等离子体处理以消除或者减小扇形形貌，从而极大的减小了衬底的侧壁粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：向工艺腔室内通入第一反应气体并将所述第一反应气体激发成等离子体；利用由所述第一反应气体激发的等离子体对刻蚀处理后的衬底进行等离子体处理，以消除或者减小刻蚀后衬底侧壁的扇形形貌。
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