[发明专利]一种ZrCuNiAlSi金属非晶薄膜材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种ZrCuNiAlSi金属非晶薄膜材料的制备方法。该方法采用磁控溅射技术，制备的金属薄膜具有完全的非晶结构，并且尺寸分布，沉积速率可控。该工艺制备的薄膜结构致密，表面质量高，可以很容易通过改变镀膜参量来控制非晶薄膜的沉积速率，从而为制备完全非晶结构，尺寸可控的非晶薄膜材料提供可能。本发明制备的金属薄膜，非晶结构明晰，膜层致密平整，可以很容易控制非晶结构不变，而使薄膜尺寸发生变化，从而为制备尺寸可控的金属非晶薄膜材料提供可能。并且该方法操作简单，成本较低，易于在工业上实现和推广。

主权项

一种ZrCuNiAlSi金属非晶薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）将单面抛光单晶硅基片分别用丙酮和酒精超声清洗15~30分钟，经电吹风吹干后，放入超高真空磁控溅射设备基片台上，准备镀膜；2）将由Zr、Al、Cu、Ni、Si组成的五元合金靶材安置在靶材座上，通过调整中电源的功率控制靶的溅射率，溅射功率为30W~80W，薄膜的沉积速率为2nm/min~4nm/min；采用高纯Ar作为离化气体，气流速度为6.3sccm；3）硅片溅射沉积时，采用直流脉冲电源，溅射过程中，不加偏压，采用间歇沉积方式每沉积5~10min，暂停溅射15min使薄膜完全冷却；同时对基片台进行旋转，保证非晶薄膜致密均匀，最终达到所需的膜层厚度尺寸。