[发明专利]形成包含保护层的凸块结构的方法有效
申请号: | 201210414687.4 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN103077897A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | F·屈兴迈斯特;L·莱曼;A·普拉茨克;G·容尼克尔;S·考斯盖维斯 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种形成包含保护层的凸块结构的方法,揭示于本文的一个示范方法包括下列步骤:在一层绝缘材料中形成导电垫,形成钝化层于该导电垫上方,对该钝化层执行至少一个蚀刻工艺以在该钝化层中定义暴露该导电垫的至少一部分的开口,在该钝化层上、在该开口中、以及在该导电垫的该暴露部分上形成保护层,形成热固化材料层于该保护层上方,执行蚀刻工艺以定义有暴露该保护层的一部分的开口的图案化热固化材料层,对该保护层执行蚀刻工艺以借此暴露该导电垫的至少一部分,以及形成导电耦合至该导电垫的导电凸块。 | ||
搜索关键词: | 形成 包含 保护层 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,其包含:在一层绝缘材料中形成导电垫;形成钝化层于该导电垫及该层绝缘材料上方;对该钝化层执行至少一个蚀刻工艺,以在该钝化层中定义暴露该导电垫的至少一部分的开口;在该钝化层上、在该开口中以及该导电垫的该暴露部分上形成保护层;在该保护层上方形成热固化材料层;对该热固化材料层执行蚀刻工艺,以定义具有暴露该保护层的一部分的开口的图案化热固化材料层;执行蚀刻工艺,以移除该保护层的该暴露部分,借此暴露该导电垫的至少一部分;以及在移除该保护层的该暴露部分后,形成导电耦合至该导电垫的导电凸块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司,未经格罗方德半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210414687.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:镍氢圆柱电池全自动卷绕一体机的卷绕机构
- 下一篇:牛肉酱自动加料装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造