[发明专利]阵列基板制造方法及阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201210404598.1 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102938382A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 曹占锋;戴天明;姚琪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板制造方法及阵列基板、显示装置，涉及显示领域，可降低信号线发生断线不良的概率，从而提高产品的良品率，尤其适用于窄线宽的高分辨率产品。本发明所述阵列基板制造方法，包括：在信号线所在层之上再形成一层修复薄膜，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜或者透明绝缘的半导体薄膜；进行转化处理，使第一区域的修复薄膜呈现导电状态，除第一区域之外其余区域的修复薄膜呈现绝缘状态，所述第一区域为对应信号线所在的区域。本发明所述阵列基板，包括：显示单元和信号线，在信号线所在层之上设置有修复薄膜，且，修复薄膜在第一区域呈现导电状态，在除所述第一区域之外其余区域呈现绝缘状态。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板制造方法，所述阵列基板包括：显示单元和向所述显示单元提供显示信号及控制信号的信号线，其特征在于，该方法包括：在所述信号线所在层之上再形成一层修复薄膜，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜或者透明绝缘的半导体薄膜；进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，所述第一区域为对应所述信号线所在的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
