[发明专利]阵列基板制造方法及阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板制造方法，所述阵列基板包括：显示单元和向所述显示单元提供显示信号及控制信号的信号线，其特征在于，该方法包括：

在所述信号线所在层之上再形成一层修复薄膜，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜或者透明绝缘的半导体薄膜；

进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，所述第一区域为对应所述信号线所在的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜时，所述进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，具体包括：

形成保护层，再利用构图工艺，保留所述第一区域的所述保护层，去除所述第一区域之外其余区域的所述保护层以暴露所述掺杂半导体薄膜；

进行转化处理，使除所述第一区域之外其余区域的所述掺杂半导体薄膜转化为绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修复薄膜为透明绝缘的半导体薄膜时，所述进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，具体包括：

形成保护层，再利用构图工艺，去除所述第一区域的所述保护层以暴露所述半导体薄膜，保留所述第一区域之外其余区域的保护层；

进行转化处理，使所述第一区域的所述半导体薄膜转化为导电膜。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，还包括：

去除剩余的所述保护层。

5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，

所述保护层由光刻胶涂覆而成。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

采用离子注入或等离子体处理的方法进行转化处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明导电的掺杂半导体薄膜为，

掺有硼或磷的非晶硅薄膜，或者为，

以下任一材料形成的掺杂薄膜：ZnO、ZnS、IZO和GaAs。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述透明绝缘的半导体薄膜为以下任一材料形成的绝缘薄膜：非晶硅、ZnO、ZnS、IZO和GaAs。

9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，

所述信号线为以下中的任一项或多项：数据线、栅线和公共电极线。

10.一种阵列基板，包括：显示单元和向所述显示单元提供显示信号及控制信号的信号线，其特征在于，

所述信号线所在层之上设置有修复薄膜，且，

所述修复薄膜在第一区域呈现导电状态，在除所述第一区域之外其余区域呈现绝缘状态，所述第一区域为对应所述信号线所在的区域。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，

所述信号线为以下中的任一项或多项：数据线、栅线和公共电极线。

12.一种显示装置，其特征在于，设置有权利要求10或11任一项所述的阵列基板。