[发明专利]阵列基板制造方法及阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板制造方法及阵列基板、显示装置。

背景技术

随着人们对显示品质的不断追求，高分辨率已经是显示器发展的大趋势。但随着显示器分辨率的提高，数据线布线的线宽也需要随之减少，这就对制备工艺提出了更高的要求。

当显示器分辨率提升至300ppi甚至400ppi、500ppi及以上时，这时需要将数据线的线宽从4um以上降低到2-3um(分辨率300ppi以上的产品称之为窄线宽的高分辨率产品或窄线宽产品)，而目前一般采用湿法刻蚀工艺制备数据线及源漏极，但当数据线线宽减小到2-3um的时候，由于湿法刻蚀的均匀性问题使得数据线易发生断线不良，严重影响产品的良品率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板制造方法及阵列基板、显示装置，可降低信号线发生断线不良的概率，从而提高产品的良品率，尤其适用于窄线宽的高分辨率产品。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板制造方法，所述阵列基板包括：显示单元和向所述显示单元提供显示信号及控制信号的信号线，该方法包括：

在所述信号线所在层之上再形成一层修复薄膜，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜或者透明绝缘的半导体薄膜；

进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，所述第一区域为对应所述信号线所在的区域。

可选地，所述修复薄膜为透明导电的掺杂半导体薄膜时，所述进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，具体包括：

形成保护层，再利用构图工艺，保留所述第一区域的所述保护层，去除所述第一区域之外其余区域的所述保护层以暴露所述掺杂半导体薄膜；

进行转化处理，使除所述第一区域之外其余区域的所述掺杂半导体薄膜转化为绝缘膜。

可选地，所述修复薄膜为透明绝缘的半导体薄膜时，所述进行转化处理，使第一区域的所述修复薄膜呈现导电状态，除所述第一区域之外其余区域的所述修复薄膜呈现绝缘状态，具体包括：

形成保护层，再利用构图工艺，去除所述第一区域的所述保护层以暴露所述半导体薄膜，保留所述第一区域之外其余区域的保护层；

进行转化处理，使所述第一区域的所述半导体薄膜转化为导电膜。

进一步地，所述的方法，还包括：

去除剩余的所述保护层。

优选地，所述保护层由光刻胶涂覆而成。

可选地，采用离子注入或等离子体处理的方法进行转化处理。

可选地，所述透明导电的掺杂半导体薄膜为，

掺有硼或磷的非晶硅薄膜，或者为，

以下任一材料形成的掺杂薄膜：ZnO、ZnS、IZO和GaAs。

可选地，所述透明绝缘的半导体薄膜为以下任一材料形成的绝缘薄膜：非晶硅、ZnO、ZnS、IZO和GaAs。

可选地。所述信号线为以下中的任一项或多项：数据线、栅线和公共电极线。

另一方面，本发明还提供一种阵列基板，包括：显示单元和向所述显示单元提供显示信号及控制信号的信号线，

所述信号线所在层之上设置有修复薄膜，且，

所述修复薄膜在第一区域呈现导电状态，在除所述第一区域之外其余区域呈现绝缘状态，所述第一区域为对应所述信号线所在的区域。

可选地，所述信号线为以下中的任一项或多项：数据线、栅线和公共电极线。

本发明还提供一种显示装置，设置有所述的任一阵列基板。

本发明通过在信号线形成以后，再形成一层修复薄膜层，通过曝光形成图案，然后采用离子注入或者等离子体处理或者其他方法进行掺杂，使得信号线以外区域的修复薄膜呈现绝缘状态，而信号线上方的修复薄膜呈现导电状态，即信号线上方存在导电层(导电的修复薄膜)，这样在信号线断线的地方还可通过导电层导通，从而使信号线得以修复，因此本发明所述阵列基板制造方法和阵列基板、显示装置，可降低信号线的发生断线不良的概率，提高产品的良品率，尤其适用于窄线宽的高分辨率产品。

附图说明

图1为本发明实施例一中阵列基板制造方法流程图；

图2为本发明实施例一中第一种具体实施方式的流程图；

图3(a)为第一种具体实施方式中修复薄膜的结构示意图；

图3(b)为保护层图案的结构示意图；