[发明专利]一种直接淬火浅层渗碳方法无效
申请号: | 201210398496.3 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN103774083A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 田边 | 申请(专利权)人: | 西安交大京盛科技发展有限公司 |
主分类号: | C23C8/20 | 分类号: | C23C8/20;C23C8/22;C21D1/18;C23F17/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 刘国智 |
地址: | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种直接淬火浅层渗碳方法,步骤一,在炉温为800℃的温度下,往渗碳炉内滴入渗碳剂排气;步骤二,将炉温升至910℃保温1h;步骤三,将渗碳部件分散悬挂于渗碳炉内,大量滴入渗碳剂迅速排气,并持续滴入渗碳剂保持炉内碳势0.95;步骤四,保持910℃1h进行渗碳;步骤五,取出渗碳部件置入油槽中,降温至50℃时,取出清洗;步骤六,清洗后在200℃下进行回火,回火时间2h,本发明能够提高部件的耐磨和抗拉性能,同时避免了二次淬火、高温回火所带来的表面氧化和脱碳现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 直接 淬火 渗碳 方法 | ||
【主权项】:
一种直接淬火浅层渗碳方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,在炉温为800℃的温度下,往渗碳炉内滴入渗碳剂排气;步骤二,将炉温升至910℃保温1h;步骤三,将渗碳部件分散悬挂于渗碳炉内,大量滴入渗碳剂迅速排气,并持续滴入渗碳剂保持炉内碳势0.95;步骤四,保持910℃1h进行渗碳;步骤五,取出渗碳部件置入油槽中,降温至50℃时,取出清洗;步骤六,清洗后在200℃下进行回火,回火时间2h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交大京盛科技发展有限公司,未经西安交大京盛科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210398496.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类