[发明专利]一种深刻蚀切割发光二极管芯片的方法无效
| 申请号： | 201210384248.3 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102881783A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 杨旅云;陈晓鹏;张宇欣;张国龙;吴东平;常志伟;薛进营;王明辉;夏成 | 申请（专利权）人： | 施科特光电材料（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深刻蚀切割发光二极管芯片的方法，先于半导体衬底表面形成包括多个发光单元的发光原件；然后制作在各该发光单元的交接处形成刻蚀窗口的保护层；从各该刻蚀窗口进行刻蚀形成裂片走道；接着于各该裂片走道内填充绝缘材料并从背面对所述半导体衬底进行减薄，直至露出所述绝缘材料；最后制作背镀层，去除各该裂片走道内的绝缘材料，扩膜以获得独立的发光单元。本发明采用深刻蚀形成裂片走道的方法使切槽深入到蓝宝石衬底内，免去了激光切割的加工步骤，避免了激光的烧蚀而造成吸光的问题，增加了出光效率；深刻蚀深度和芯片的最终厚度相当，去除掉填充的SiO2即可得到分离的芯粒，减少了裂片作业，避免了裂片中的崩边崩角，增加了良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深刻 切割 发光二极管 芯片 方法 | ||
【主权项】：
一种深刻蚀切割发光二极管芯片的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成包括多个发光单元的发光原件；2）于所述发光原件表面形成保护层，并使所述保护层在各该发光单元的交接处形成刻蚀窗口；3）从各该刻蚀窗口对所述发光原件及半导体衬底进行刻蚀，形成贯穿所述发光原件并延伸至所述半导体衬底内一预设深度的裂片走道；4）于各该裂片走道内填充绝缘材料；5）从背面对所述半导体衬底进行减薄，直至露出所述绝缘材料；6）于所述半导体衬底背面制作背镀层，并去除各该裂片走道内的绝缘材料。
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