[发明专利]一种微波辅助降解硅纳米线制备硅纳米颗粒的方法有效

专利信息
申请号: 201210374902.2 申请日: 2012-09-27
公开(公告)号: CN102849739A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 何耀;钟旖菱;李述汤 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;B82Y30/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种微波辅助降解硅纳米线制备硅纳米颗粒的方法,将硅晶片置于丙酮中超声,超纯水清洗后,放入浓硫酸或浓硝酸和5vol%~30vol%双氧水混合溶液中除杂,再用超纯水清洗,得干净的硅晶片,置入5vol%~40vol%氟化氢溶液中,得表面覆盖大量硅-氢键的硅晶片,放入0.1M~1M的硝酸银或氯金酸和10vol%~40vol%氟化氢的混合溶液中,缓慢振荡,取出后放入10vol%氟化氢和1vol%双氧水混合溶液中,得硅纳米线阵列,超声,离心收集硅纳米线,分散于超纯水中,得前体溶液,溶于去离子水,微波辐射断裂成硅纳米颗粒。所得的硅纳米颗粒有较好的单分散性,尺寸均匀,可以作为载体用于生物检测和分析。
搜索关键词: 一种 微波 辅助 降解 纳米 制备 颗粒 方法
【主权项】:
一种微波辅助降解硅纳米线制备硅纳米颗粒的方法,包括以下步骤:a、氟化氢辅助刻蚀制备硅纳米线:将硅晶片置于丙酮溶液中超声,用超纯水清洗多次后,放入浓硫酸或浓硝酸和5vol%~30vol%双氧水混合溶液中除去表面的污染杂质,再用超纯水清洗多次,得到干净的硅晶片;将清洗干净的硅晶片置入5vol%~40vol%氟化氢溶液中进行硅‑氢化反应,得到表面覆盖大量硅‑氢键(Si‑H)的硅晶片;将经过上述处理后所得到的硅晶片放入0.1M~1M的硝酸银或氯金酸和10vol%~40vol%氟化氢的混合溶液中,缓慢振荡一定时间,取出后再放入10vol%氟化氢和1vol%双氧水混合溶液中反应,得到硅纳米线阵列;利用超声将硅纳米线从硅片中超声下来,通过离心将硅纳米线进行收集,分散于超纯水中,得硅纳米线前体溶液;b、微波辐射制备硅纳米颗粒:将步骤a所得的硅纳米线溶于去离子水中,在微波辐射加热环境下,硅纳米线断裂成硅纳米颗粒。
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