[发明专利]钨硅靶材的制造方法有效
| 申请号： | 201210374813.8 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103695852A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;B22F3/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了钨硅靶材的制造方法。所述钨硅靶材的制造方法包括：提供高纯钨粉和高纯硅粉；采用湿混工艺将所述钨粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；采用冷压工艺将所述混合粉末制成钨硅靶材坯料；采用真空热压工艺将所述钨硅靶材坯料制成钨硅靶材。本发明的制备方法工艺步骤少，生产速度快。采用本发明的制备方法能够获得了致密度大于或者等于99%的钨硅靶材，并且所获得的钨硅靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 钨硅靶材 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种钨硅靶材的制造方法，其特征在于，包括：提供钨粉和硅粉；采用湿混工艺将所述钨粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；采用冷压工艺将所述混合粉末制成钨硅靶材坯料；采用真空热压工艺将所述钨硅靶材坯料制成钨硅靶材。
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