[发明专利]一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法有效
| 申请号： | 201210374319.1 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102850087A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 张永辉;肖志超;苏君明;彭志刚;侯卫权 | 申请（专利权）人： | 西安超码科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法，该方法为：一、将装有固体硅料的石墨坩埚置于高温石墨化炉内，将石墨基体置于石墨坩埚内的石墨支架上，利用硅蒸气和石墨基体表面的碳直接反应生成一层碳化硅涂层；二、将表面生成碳化硅涂层的石墨基体置于化学气相沉积炉内，在石墨基体表面的碳化硅涂层表面裂解生成一层CVD（化学气相沉积）碳化硅涂层。本发明通过加热固体硅料形成的硅蒸气与石墨基体表层碳直接反应，原位形成的CVR（化学气相反应）碳化硅涂层牢固地结合在石墨基体上，提高了结合强度；然后利用CVD工艺在CVR碳化硅涂层上高温裂解一层CVD碳化硅涂层，既有效填充了CVR碳化硅涂层的孔隙，又提高了结合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 表面 制备 碳化硅 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、将装有固体硅料的石墨坩埚置于高温石墨化炉内，将石墨基体置于石墨坩埚内的石墨支架上，在温度为1500℃～1800℃，真空度为100Pa～1000Pa的条件下保温1h～5h，利用硅蒸气和石墨基体表面的碳直接反应生成一层碳化硅涂层；步骤二、将步骤一中表面生成碳化硅涂层的石墨基体置于化学气相沉积炉内，在温度为1000℃～1500℃的条件下向炉内通入氢气和稀释气体，并利用鼓泡式气化方式将三氯甲基硅烷气化后通入炉内，保温10h～60h，在石墨基体表面的碳化硅涂层表面裂解生成一层CVD碳化硅涂层。
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