[发明专利]一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法

权利要求书

1.一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、将装有固体硅料的石墨坩埚置于高温石墨化炉内，将石墨基体置于石墨坩埚内的石墨支架上，在温度为1500℃～1800℃，真空度为100Pa～1000Pa的条件下保温1h～5h，利用硅蒸气和石墨基体表面的碳直接反应生成一层碳化硅涂层；

步骤二、将步骤一中表面生成碳化硅涂层的石墨基体置于化学气相沉积炉内，在温度为1000℃～1500℃的条件下向炉内通入氢气和稀释气体，并利用鼓泡式气化方式将三氯甲基硅烷气化后通入炉内，保温10h～60h，在石墨基体表面的碳化硅涂层表面裂解生成一层CVD碳化硅涂层。

2.根据权利要求1所述的一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法，其特征在于，步骤一中所述固体硅料的用量以石墨基体外表面积计量，每平方厘米石墨基体外表面积用固体硅料5g～20g。

3.根据权利要求1所述的一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法，其特征在于，步骤二中所述氢气的通气速率为100mL/min～500mL/min。

4.根据权利要求1所述的一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法，其特征在于，步骤二中所述稀释气体为氩气，稀释气体的通气速率为100mL/min～600mL/min。

5.根据权利要求1所述的一种在石墨表面制备碳化硅涂层的方法，其特征在于，步骤二中所述鼓泡式气化方式采用的气化介质为氢气或氩气，气化介质的通气速率为100mL/min～500mL/min。