[发明专利]成像器件、电子设备和制造方法有效
| 申请号： | 201210368073.7 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103035662B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 中田征志 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 黄玫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了成像器件、电子设备和制造设备的制造方法。该成像器件包括在其中具有光电转换元件的硅衬底和在硅衬底的前表面侧上的布线层。光电转换元件关于通过布线层从前表面侧进入光电转换元件的光执行光电转换，并关于从硅衬底的后表面侧进入光电转换元件而没有经过布线层的光执行光电转换。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 器件 电子设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种成像器件，包括：硅衬底，在其中具有光电转换元件；布线层，在所述硅衬底的前表面侧上，其中，所述光电转换元件关于通过所述布线层从前表面侧进入所述光电转换元件的光执行光电转换，并关于从所述硅衬底的后表面侧进入所述光电转换元件而没有经过所述布线层的光执行光电转换；以及电极部分，用作布线层的外部端子，在布线层的前表面侧上形成，并且暴露在后表面侧上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210368073.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种路面气动能发电装置
- 下一篇：用于油田矿井管柱连续起下的双游动卡瓦装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
