[发明专利]成像器件、电子设备和制造方法有效
申请号: | 201210368073.7 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103035662B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 中田征志 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 黄玫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 器件 电子设备 制造 方法 | ||
1.一种成像器件,包括:
硅衬底,在其中具有光电转换元件;和
布线层,在所述硅衬底的前表面侧上,
其中,所述光电转换元件关于通过所述布线层从前表面侧进入所述光电转换元件的光执行光电转换,并关于从所述硅衬底的后表面侧进入所述光电转换元件而没有经过所述布线层的光执行光电转换。
2.根据权利要求1的成像器件,
其中,所述布线层包括布线元件,所述布线元件设置在所述布线层中除了用作进入所述光电转换元件的光的光路的区域之外的区域中。
3.根据权利要求2的成像器件,
其中,所述光路提供有波导。
4.根据权利要求1的成像器件,进一步包括:
滤色器,在所述光电转换元件的后表面侧上;和
滤光器,在所述光电转换元件的前表面侧上,所述滤光器不是滤色器。
5.根据权利要求4的成像器件,
其中,所述滤光器包括红外透射滤光器和白色像素滤光器中的至少任意一个。
6.根据权利要求4的成像器件,
其中,对于每个像素提供所述滤色器,且各像素的滤色器由特定无机膜彼此分开。
7.根据权利要求1的成像器件,进一步包括:
第一片上透镜,在所述光电转换元件的后表面侧上;和
第二片上透镜,在所述光电转换元件的前表面侧上。
8.根据权利要求7的成像器件,
其中,所述第一片上透镜和所述第二片上透镜由无机材料制成。
9.根据权利要求1的成像器件,进一步包括:
片上透镜,在所述光电转换元件的后表面侧上。
10.根据权利要求1的成像器件,
其中,所述硅衬底具有包括多个光电转换元件的垂直分光镜结构作为每个像素的配置,所述多个光电转换元件的每一个是所述光电转换元件。
11.根据权利要求1的成像器件,进一步包括:
电极部分,用作所述布线层中布线元件的外部端子,
其中,所述硅衬底和所述布线层具有允许所述电极部分暴露在后表面侧上的开口。
12.根据权利要求11的成像器件,
其中,所述电极部分具有特定厚度以使得在所述电极部分上层叠的部件高于在形成所述光电转换元件的像素区域中形成的部件。
13.根据权利要求1的成像器件,进一步包括:
支撑衬底,光通过所述支撑衬底且所述支撑衬底通过使用特定粘合材料接合到所述布线层的前表面侧。
14.根据权利要求1的成像器件,进一步包括:
支撑衬底,光通过所述支撑衬底且所述支撑衬底通过使用等离子接合而接合到所述布线层的前表面侧。
15.根据权利要求1的成像器件,进一步包括:
支撑衬底,光通过其且在所述布线层的前表面侧上;和
支撑衬底中的电路,将所述电路放置在除了形成所述光电转换元件的像素区域之外的区域中。
16.根据权利要求1的成像器件,进一步包括:
像素,其中在所述光电转换元件的后表面侧和前表面侧之一上入射的光由布线元件或光屏蔽膜或者其两者阻挡,且其中所述光电转换元件关于在后表面侧和前表面侧中另一个上入射的光执行光电转换。
17.根据权利要求1的成像器件,进一步包括:
第一快门,在所述光电转换元件的后表面侧上,且控制来自后表面侧的光的进入;和
第二快门,在所述光电转换元件的前表面侧上,且控制来自前表面侧的光的进入,
其中,所述第一快门和所述第二快门彼此独立地驱动。
18.根据权利要求1的成像器件,
其中,在所述光电转换元件的一侧上的像素区域由光屏蔽板划分为多个区域,且各区域中的像素用于检测不同的波长范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的