[发明专利]一种发光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201210367217.7 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103700734B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 朱广敏;郝茂盛;齐胜利;潘尧波;张楠;陈诚;袁根如;李士涛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的制造方法，于所述半导体衬底表面沉积至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；然后刻蚀所述P型层及量子阱层以形成N电极制备区域；接着于所述P型层表面形成第一透明导电层，并采用光刻工艺刻蚀所述第一透明导电层，以形成多个呈周期排列且贯穿所述透明导电层的开孔；然后于各该开孔内制作反射镜；最后于所述第一透明导电层及各该反射镜表面制作第二透明导电层并制作P电极及N电极。本发明具有以下有益效果本发明将高反射材料均匀地填充在透明导电层的周期性孔洞中，可以实现发光二极管光线的均匀出射，提高发光区光的出射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面沉积至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）刻蚀所述P型层及量子阱层以形成N电极制备区域；3）于所述P型层表面形成第一透明导电层，并采用光刻工艺刻蚀所述第一透明导电层，以形成多个呈周期排列且贯穿所述透明导电层的开孔；4）于各该开孔内制作反射镜；5）制作P电极及N电极。
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