[发明专利]一种发光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：

1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面沉积至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；

2）刻蚀所述P型层及量子阱层以形成N电极制备区域；

3）于所述P型层表面形成第一透明导电层，并采用光刻工艺刻蚀所述第一透明导电层，以形成多个呈周期排列且贯穿所述透明导电层的开孔；

4）于各该开孔内制作反射镜；

5）制作P电极及N电极。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤5）中，P电极的制作包括步骤：

5-1）于所述第一透明导电层及各该反射镜表面制作第二透明导电层；

5-2）于所述第二透明导电层表面制作P电极。

3.根据权利要求2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述开孔的面积总和为所述P型层面积的40%~60%。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：各该开孔的周期排列方式为四方阵列排列或六方阵列排列。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：各该开孔为圆孔，且圆孔的孔径为nλ/4，其中，n为整数，λ为发光二极管发出光线的波长。

6.根据权利要求1或2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：各该开孔为正六边形孔，且所述正六边形的对角线长度为nλ/4，其中，n为整数，λ为发光二极管发出光线的波长。

7.根据权利要求1或2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：各该反射镜的垂直反射率大于70%。

8.根据权利要求1或2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述反射镜的材料为Al层、Ag层、Al层-Au层-Ni层叠层、Ag层-Au层-Ni层叠层、Al层-SiO₂层叠层或Ag层-SiO₂叠层。

9.根据权利要求1或2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：步骤1）中所述的半导体衬底为蓝宝石衬底，所述N型层为N-GaN层，所述量子阱层为InGaN层，所述P型层为P-GaN层。

10.根据权利要求1或2所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤5）以后还包括从下表面减薄所述半导体衬底，并于该半导体衬底下表面制作背镀反射层的步骤。