[发明专利]基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210359830.4 申请日: 2012-09-24
公开(公告)号: CN102828244A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 丁古巧;朱云;谢晓明;江绵恒 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C23C8/20;C23C16/26;C01B31/02
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 许亦琳;余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及石墨烯薄膜制备领域,具体公开了一种基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜材料及其制备方法,包括如下步骤:1)镍铜复合衬底的制备;2)渗碳:将铜镍复合衬底加热至200~300℃后,通入碳源气体和载气,保温30~240min,对镍层进行渗碳;3)析碳:切断碳源气体的供应,将铜镍复合衬底温度升高到300~1000℃,通入载气,保温10-180min,获得基于镍铜复合衬底的石墨烯薄膜。本发明的有益效果为,不仅提出了新的制备工艺,使石墨烯的层数控制更加容易,还解决了目前复合衬底制备成本高的问题,获得了一种成本低、制备方法简单易控,产品质量好、面积大的石墨烯薄膜材料。
搜索关键词: 基于 复合 衬底 层数 可控 石墨 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)镍铜复合衬底的制备:在铜箔表面形成一层金属镍层,获得镍铜复合衬底;2)渗碳:将铜镍复合衬底加热至200~300℃后,通入碳源气体和载气,保温30~240min,对镍层进行渗碳;3)析碳:切断碳源气体的供应,将铜镍复合衬底温度升高到300~1000℃,继续通入载气,保温10~180min,获得基于镍铜复合衬底的石墨烯薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210359830.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top