[发明专利]包括存储器件和系统的半导体器件的设定数据储存无效
| 申请号： | 201210359485.4 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103021460A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 元参规 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓琼;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种设定数据储存电路，所述设定数据储存电路包括：设定数据储存模块，其被配置成储存设定数据；存取单元，其被配置成存取设定数据储存模块的设定数据；错误检测单元，其被配置成检测设定数据中的错误；以及错误恢复单元，其被配置成在错误检测单元检测到错误时恢复设定数据储存模块中的错误。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 存储 器件 系统 半导体器件 设定 数据 储存 | ||
【主权项】：
一种设定数据储存电路，包括：设定数据储存模块，所述设定数据储存模块被配置成储存设定数据；存取单元，所述存取单元被配置成存取所述设定数据储存模块中的设定数据；错误检测单元，所述错误检测单元被配置成检测所述设定数据中的错误；以及错误恢复单元，所述错误恢复单元被配置成在所述错误检测单元检测到错误时恢复所述设定数据储存模块中的错误。
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