[发明专利]具有低密勒电容的半导体元件的制作方法无效
| 申请号： | 201210350105.0 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103594348A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 林永发;张家豪 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其步骤包含提供一第一导电型的半导体基底、于所述半导体基底上形成一外延层、于所述外延层中形成至少一栅极沟槽、于所述栅极沟槽的侧壁形成一侧壁子、刻蚀所述栅极沟槽的底部以形成一凹陷沟槽、进行一热氧化工艺经由所述凹陷沟槽氧化所述外延层，如此以形成一氧化层填满凹陷沟槽、去除所述侧壁子、于栅极沟槽的侧壁形成一栅极氧化层、以及于所述栅极沟槽中形成一栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低密勒 电容 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有低密勒电容的半导体元件的制作方法，其特征在于，包含：提供一第一导电型的半导体基底；于所述半导体基底上形成一外延层；于所述外延层中形成至少一栅极沟槽；于所述栅极沟槽的侧壁形成一侧壁子；经由所述栅极沟槽的底部刻蚀所述外延层以形成一凹陷沟槽；进行一热氧化工艺以经由所述凹陷沟槽氧化所述外延层，如此形成一氧化层填满所述凹陷沟槽；去除所述侧壁子；于所述栅极沟槽的侧壁形成一栅极氧化层；以及于所述栅极沟槽中形成一栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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