[发明专利]一种可提高工艺套准精度的曝光方法无效
| 申请号： | 201210343659.8 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102880012A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 朱骏;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种可提高工艺套准精度的曝光方法，包括以下顺序步骤：首先使用第一曝光图形对硅片光刻曝光，再用第二曝光图形对硅片光刻曝光，使得硅片表面形成相间隔分布的图案单元，所述第一曝光图案和第二曝光图案制在同一掩模板上。本发明提供的方法能解决步进式重复曝光光刻机镜头不均匀受热问题，从而减少镜头热学形变，提高了工艺套准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 工艺 精度 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种可提高工艺套准精度的曝光方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：首先使用第一曝光图形对硅片光刻曝光，再用第二曝光图形对硅片光刻曝光，使得硅片表面形成相间隔分布的图案单元，所述第一曝光图案和第二曝光图案制在同一掩模板上。
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