[发明专利]双沟道晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210335697.9 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103681830B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 赵妙;郑英奎;刘新宇;彭铭曾;李艳奎;欧阳思华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了双沟道晶体管，以GaN为材料，包含双沟道，即第一沟道和第二沟道，第一沟道为势垒层和GaN沟道层的界面，第二沟道为背势垒层和GaN沟道层的界面，所述势垒层和背势垒的材料均为AlGaN；所述AlGaN背势垒层的厚度为20nm，铝组分为30％，所述AlGaN势垒层的厚度为20nm，铝组分为30％。同时，所述晶体管的衬底为碳化硅衬底。本发明提供的双沟道晶体管及其制备方法，采用一定铝组分和厚度的铝镓氮作为背势垒层，形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构，强极化电场使沟道中的二维电子气（2DEG）被限制在两个非常高的势垒中，形成双沟道，增强了沟道中2DEG限域性，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.双沟道晶体管，以GaN为材料，其特征在于，包含双沟道，即第一沟道和第二沟道，所述第一沟道为势垒层和GaN沟道层的界面，所述第二沟道为背势垒层和GaN沟道层的界面；所述势垒层和背势垒的材料均为AlGaN；所述AlGaN背势垒层的厚度为20nm，铝组分为30％，所述晶体管的衬底为碳化硅衬底、所述背势垒层形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构，强极化电场使所述第一沟道和所述第二沟道的二维电子气被限制在两个较高的势垒中，所述AlGaN势垒层的厚度为20nm，铝组分为30％。
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