[发明专利]一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210335651.7 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102899722A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张婷;曹远虎;夏宗仁;梁万国 | 申请（专利权）人： | 江西匀晶光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B31/22 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 332000 江西省九*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片，其中氧化镁含量为5.5~6.5mol%，晶片厚度0.5~3mm。本发明还公开了所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片的制备方法，首先是应用提拉法生长掺镁浓度为5.2～6mol%、适量富铌的铌酸锂晶体，晶体经过退火极化处理，再切割成晶片，将切割晶片埋入掺镁浓度为5.5～6.5mol%的同成分铌酸锂粉料中，再在1000℃～1150℃温度下恒温20～40小时进行扩散热处理，即得到所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片。本发明制备的掺氧化镁铌酸锂晶片成分均匀，折射率分布均匀，掺镁浓度高，铌锂比接近同成分配比，内部缺陷少，电畴反转电压较低，适合批量化的PPLN器件技术要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化镁 成分 铌酸锂 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片，其特征在于：其中氧化镁含量为5.5~6.5mol%，晶片厚度0.5~3mm。
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