[发明专利]一种改进的氧化物薄膜阻变存储器及其改进方法无效
| 申请号： | 201210333374.6 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102820428A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;周歧刚 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子存储器领域，具体公开了一种改进的氧化物薄膜阻变存储器及其改进方法，包括自上而下的顶电极、氧化物阻变层、底电极以及绝缘衬底，所述顶电极与所述氧化物阻变层之间，或者所述底电极与所述氧化物阻变层之间设有界面层，所述界面层为金属氮氧化物薄膜。该氮氧化合物界面层的引入，一方面提高了阻变存储器的低态电阻，从而减小存储操作能耗；另一方面限制了阻变发生的范围，限制阻变方式；达到提高阻变存储器的耐疲劳性、稳定性和均匀性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 氧化物 薄膜 存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种改进的氧化物薄膜阻变存储器，包括自上而下的顶电极、氧化物阻变层、底电极以及绝缘衬底，其特征在于，所述顶电极与所述氧化物阻变层之间，或者所述底电极与所述氧化物阻变层之间设有界面层，所述界面层为金属氮氧化物薄膜。
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