[发明专利]具有高迁移率和应变沟道的FinFET有效
| 申请号： | 201210326652.5 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103515422A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 沈俊良;蔡国强;李后儒;梁春升;赖高廷;丁国强;吴集锡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路器件，包括：至少被部分地嵌入浅沟槽隔离(STI)区并在源极和漏极之间延伸的鳍。该鳍由第一半导体材料形成，并且具有位于第一端部和第二端部之间的修整部分。由第二半导体材料形成的保护层，被设置在该鳍的修整部分的上方，以形成高迁移沟道。栅电极结构在该高迁移沟道上方以及第一端部和第二端部之间形成。本发明提供具有高迁移率和应变沟道的FinFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 迁移率 应变 沟道 finfet | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：在源极和漏极之间延伸的鳍，所述鳍具有位于第一端部和第二端部之间并被保护层覆盖的修整部分，所述修整部分以及所述第一端部和所述第二端部由第一半导体材料形成，所述保护层由与所述第一半导体材料不同的第二半导体材料形成，以形成高迁移沟道；以及在位于所述第一端部和所述第二端部之间的所述高迁移沟道的上方形成的栅电极结构。
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