[发明专利]测试键结构以及晶圆测试方法有效
| 申请号： | 201210313099.1 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102800658A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞;楼颖颖;刘宪周;李秀莹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种测试键结构以及晶圆测试方法。根据本发明的用于金属等离子体刻蚀电荷损害测试的测试键结构包括：底层硅、布置在所述底层硅上的氧化物层、布置在所述氧化物层上的多晶硅层、布置在所述多晶硅层上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的正硅酸乙酯层、布置在所述正硅酸乙酯层上的金属层。其中，所述底层硅中形成了保护环注入区；并且其中，所述测试键结构还包括贯穿所述底层硅、所述氧化物层、所述多晶硅层、所述氮化硅层以及所述正硅酸乙酯层的填充有导电材料的接触孔，所述接触孔与所述多晶硅层之间具有氧化层隔离区；并且，所述接触孔与所述金属层的金属布线相连。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种用于金属等离子体刻蚀电荷损害测试的测试键结构，其特征在于包括：底层硅、布置在所述底层硅上的氧化物层、布置在所述氧化物层上的多晶硅层、布置在所述多晶硅层上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的正硅酸乙酯层、布置在所述正硅酸乙酯层上的金属层；其中，所述底层硅中形成了保护环注入区；并且其中，所述测试键结构还包括贯穿所述底层硅、所述氧化物层、所述多晶硅层、所述氮化硅层以及所述正硅酸乙酯层的填充有导电材料的接触孔，所述接触孔与所述多晶硅层之间具有氧化层隔离区；并且，所述接触孔与所述金属层的金属布线相连。
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