[发明专利]一种处理LED芯片多金异常的方法无效
| 申请号： | 201210308838.8 | 申请日： | 2012-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103633195A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728 广东省江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 发明涉及一种处理LED芯片多金异常的方法，其步骤包括：使用光阻覆盖芯片，并通过黄光制程得到图形以保护电极；将电极已被保护的芯片放入至含碘的碘化钾溶液中腐蚀；将芯片取出，清洗并吹干；所述芯片吹干后放入去光阻液中去除光阻；光阻去除后将芯片放入去离子水中进行清洗并吹干。由于本发明在处理多金异常时对芯片结构未有影响，因而可以提高产品良率、节省物料、提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 处理 led 芯片 异常 方法 | ||
【主权项】：
一种处理LED芯片多金异常的方法，其特征在于包括如下步骤：（a）、使用光阻覆盖芯片，并通过黄光制程得到图形以保护电极；（b）、将电极已被保护的芯片放入至含碘的碘化钾溶液中腐蚀；（c）、等多金异常被腐蚀完后将芯片取出，清洗并吹干；（d）、芯片吹干后放入去光阻液中去除光阻;
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