[发明专利]一种超结MOSFET的制造方法

摘要

本发明涉及一种超结MOSFET的制造方法。本发明通过以下步骤实现：提供n型重掺杂的n+衬底，并在n+衬底上形成n型外延层，之后形成p阱区、复合缓冲层；在硅片上生长场氧化层；通过光刻场氧化层界定出器件元胞区，以及预留部分场氧作为源区n+注入的阻挡层；生长栅氧化层，淀积多晶硅，并通过光刻界定出多晶硅栅极的区域；用多晶硅层及场氧层作为源区n型杂质离子注入的阻挡层，并进行推阱形成源区n+；与整个半导体硅片表面淀积介质层；通过光刻，界定出接触孔区域，并进行介质层刻蚀，刻蚀出接触孔；在介质层上淀积金属层，并刻蚀。本发明可以用传统的半导体制造工艺实现，不会增加工艺的难度，从而降低生产成本。

主权项

一种超结MOSFET的制造方法，其特征在于：通过以下步骤实现：步骤一:提供n型重掺杂的n+衬底，并在n+衬底上形成n型外延层；步骤二:通过光刻界定出p‑body的注入区域，进行p型杂质注入，并通过热过程推阱形成p阱区；步骤三：通过光刻界定出形成p‑colunm的区域，并通过刻蚀及外延填充形成p‑column，形成复合缓冲层；步骤四：在硅片上生长场氧化层；步骤五：通过光刻场氧化层界定出器件元胞区，以及预留部分场氧作为源区n+注入的阻挡层；步骤六：生长栅氧化层，淀积多晶硅，并通过光刻界定出多晶硅栅极的区域；步骤七： 用多晶硅层及场氧层作为源区n型杂质离子注入的阻挡层，并进行推阱形成源区n+；步骤八：与整个半导体硅片表面淀积介质层；步骤九：通过光刻，界定出接触孔区域，并进行介质层刻蚀，可通过控制刻蚀时间与速率将场氧一并去出，从而刻蚀出接触孔；步骤十：在介质层上淀积金属层，并刻蚀。