[发明专利]张应变半导体光子发射和检测装置和集成的光子学系统有效
| 申请号： | 201210285225.7 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102957091A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | P·A·克利夫顿;A·格贝尔;R·S·盖恩斯 | 申请（专利权）人： | 阿科恩科技公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了张应变锗，其被充分张应变，以提供近乎直接带隙材料或完全直接带隙材料。与锗区域接触的承受压应力或拉伸应力的应力源材料在锗区域中引起单轴或双轴张应变。应力源材料可以包括氮化硅或硅锗。所产生的应变锗结构可被用于发射或检测光子，包括例如在谐振腔中产生光子以提供出激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 半导体 光子 发射 检测 装置 集成 系统 | ||
【主权项】：
一种光学装置，包括：第一和第二锗区域，所述第一锗区域与第一应力源相接触从而所述第一锗区域至少在所述第一锗区域的第一部分中具有双轴张应变，所述第二锗区域与第二应力源相接触从而所述第二锗区域至少在所述第二锗区域的第二部分中具有双轴张应变；光学元件，其限定出穿过所述第一和第二锗区域的光学路径；定位在所述第一锗区域的第一部分内或附近的结，所述结具有第一多数载流子型的第一侧和第二多数载流子型的第二侧；以及第一和第二触头，分别耦合到所述结的第一侧和所述结的第二侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿科恩科技公司，未经阿科恩科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210285225.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置和LED灯泡
- 下一篇：氮化物半导体发光元件和装置及其制造方法
