[发明专利]全面式硅外延工艺光刻对准标记的结构及制作方法有效
| 申请号： | 201210276111.6 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103578968A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;高杏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法，包括步骤：1）在硅衬底上依次生长第一、第二介质膜；其中，第一介质膜为能够阻挡硅晶体生长的膜层；第二介质膜为能够阻挡第一介质膜在其表面生长的膜层；2）刻蚀出光刻对准窗口和光刻对准沟槽；3）在光刻对准窗口和光刻对准沟槽表面生长第一介质膜；4）刻蚀出硅单晶窗口；5）全面式硅外延生长。本发明还公开了应用上述方法制作的光刻对准标记的结构。本发明通过调节外延淀积程序，在光刻对准标记表面形成非淀积区，解决了对准标记在外延生长后变形、消失的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 全面 外延 工艺 光刻 对准 标记 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种全面式硅外延工艺光刻对准标记的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在硅衬底上依次生长第一介质膜和第二介质膜；其中，第一介质膜为能够阻挡硅晶体生长的膜层；第二介质膜为能够阻挡第一介质膜在其表面生长的膜层；2）在预定的光刻对准区域刻蚀出光刻对准窗口和光刻对准沟槽；3）在光刻对准窗口和光刻对准沟槽的表面生长第一介质膜；4）在预定区域刻蚀出硅单晶窗口；5）全面式硅外延生长，在第二介质膜上生长硅多晶或硅非晶，在硅单晶窗口生长硅单晶，在光刻对准区域不生长硅晶体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
